瑞萨电子RA推出工业与物联网系列mcu RA4M3 产品簇 2020-12-10

 2020 年 12 月 9 日,日本东京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子集团今日宣布,推出全新32位RA4M3微控制器(MCU)产品群,扩展其RA4 MCU产品家族。RA4M3 MCU采用基于Armv8-M架构的Arm® Cortex®-M33内核,将运行速度提升至100MHz。RA4M3产品群拥有高性能、Arm TrustZone®技术、瑞萨安全加密引擎以及可扩展存储,便于开发安全可靠的物联网(IoT)边缘设备,适用于低功耗应用,如安全、计量、工业和暖通空调等。

瑞萨电子物联网及基础设施事业本部高级副总裁Roger Wendelken表示:“自今年10月我们推出RA6M4 MCU产品群以来,我对于瑞萨RA产品家族的迅速扩展感到十分高兴。RA6M4的目标应用要求高性能和高安全性,而RA4M3产品群很好地平衡了性能与功耗,同时具备同等水准的安全功能。此外,根据工业与物联网应用不断创新的需求,客户可以灵活地扩展存储空间。”

RA4M3产品群专为兼顾高性能、强大的安全性和更大存储空间的低功耗IoT应用而设计。新款MCU将TrustZone技术与瑞萨增强型安全加密引擎相结合,使客户能够在各种IoT设计中实现安全芯片的功能。安全加密引擎包含多个对称和非对称加密加速器、高级密钥管理、安全的产品生命周期管理、抵抗功耗分析攻击和篡改检测功能。

在闪存中运行CoreMark算法时,RA4M3 MCU的功耗低至119μA/MHz,在待机模式下功耗低至1.6mA,待机唤醒时间为30µs,这对于长时间在户外运行的IoT应用至关重要。对于内存密集型应用,设计人员可将Quad-SPI和SD卡接口与MCU的片内存储器相结合以增加存储容量。后台运行和闪存块交换(Flash Bank SWAP)功能非常适合在后台运行内存优化的固件更新程序。具有奇偶校验/ECC功能的大容量片内RAM也使RA4M3 MCU成为注重安全的应用的理想选择。RA4M3 MCU还具备多种集成功能以降低BOM成本,包括电容式触摸感应、高达1MB的片内闪存,以及模拟、通信和连接存储器的外围设备。

RA4M3产品群关键特性

· 基于40nm工艺,100MHz运行,采用Arm Cortex-M33内核及TrustZone技术

· 片内集成1MB闪存、128KB RAM、8KB数据闪存和1KB待机SRAM

· 低功耗,在运行模式下电流为119μA/MHz,待机时电流为1.6mA,唤醒时间30μs

· 闪存后台运行及闪存块交换功能

· 电容式触摸感应单元

· 多种接口,包括Quad-SPI和SDHI接口、SSI、全速USB2.0、SCI和SPI/I2C

· LQFP封装,涵盖64引脚到144引脚(也将提供LGA和BGA封装)

使用灵活配置软件包(FSP)的RA4M3产品群使客户可以复用其原有代码,并与Arm生态系统和RA生态系统合作伙伴的软件相结合,从而加速复杂连接功能和安全功能的开发。FSP包含FreeRTOS与中间件,为开发人员提供了设备连接到云端的优选功能,也可以用其他任何RTOS或中间件轻松替换和扩展这些开箱即用的功能。

FSP为使用RA4M3 MCU的开发项目提供了一系列高效的工具。e2 studio集成开发环境提供的开发平台,可以支持项目创建管理、选择与配置模块、代码开发、代码生成及调试等所有关键开发步骤。FSP通过GUI工具来简化开发流程并显著加速开发进程。


勘误纠正/技术交流/采购需求/批量供应(Correction/Technical/Perchase/Wholesale)(共0条评论)
  • 暂无评论
E-mail:
AA:
Contents:
  Code: captcha