STMicroelectronics的单片GaN栅极驱动器提高了工业和家庭自动化的速度、灵活性和集成度_意法STM_厂商BrandNews

网站文章

【查看厂商产品】STMicroelectronics的单片GaN栅极驱动器提高了工业和家庭自动化的速度、灵活性和集成度 2021-09-04

STMicroelectronics的STDRIVEG600半桥门驱动器具有高电流输出和45ns传播延迟，高侧和低侧输出之间紧密匹配，用于处理GaN增强型FET的高频开关。

STDRIVEG600也适用于在高达20V的电压下驱动N沟道硅MOSFET，它允许在GaN器件上灵活地施加高达6V的栅源电压（VG），以确保低Rds（on）。此外，还有一个集成自举电路，有助于最大限度地减少材料清单和简化电路板布局。该电路使用同步MOSFET，使自举电压达到逻辑电源电压VCC，从而允许驱动器在没有低压差调节器（LDO）的情况下从单个电源工作。

凭借±200V/ns的dV/dt抗扰度，STDRIVEG600可确保在具有挑战性的电气环境中进行可靠的闸门控制。逻辑输入为CMOS/TTL兼容，低至3.3V，便于与主机微控制器或DSP接口。高压侧部分可承受高达600V的电压，允许在高达500V的高压母线应用中使用。

输出端具有5.5A/6A的接收器/源容量，并提供独立的开启和关闭引脚，让设计者选择控制栅极的最佳方式。此外，高压侧和低压侧电路都支持开尔文连接到电源开关电源，以增强控制。低压侧驱动器的专用接地和电源电压连接确保了与开尔文连接的稳定切换，并允许使用分流电阻器进行电流感应，而无需额外隔离或输入滤波。

内置安全功能包括下部和上部驱动部分的欠压锁定（UVLO），以防止电源开关在低效或危险条件下工作。还有联锁，以避免交叉传导，以及超温保护。还提供用于关闭功能的专用pin。

STDRIVEG600适用于高压PFC、DC/DC和DC/AC转换器、开关电源、UPS系统、太阳能发电机以及家用电器、工厂自动化和工业驱动的电机驱动器等应用。

有两个开发板可用于启动新项目。EVSTDRIVEG600DG包含一个150mΩ650V GaN HEMT，采用5mm x 6mm的功率平坦封装，带有开尔文源。EVSTDRIVEG600DM配备STL33N60DM2 MDmesh 115mΩ600V硅功率MOSFET，带快速恢复二极管，采用8mm x 8mm功率平坦，带开尔文源或备用DPAK封装。

STDRIVEG600已全面投入生产，可作为16针SO16设备提供，1000件订单的价格为1.07美元。有关更多信息，请访问www.st.com/gandrivers。