【查看厂商产品】STMicroelectronics通过新型MDmesh提高效率，最大限度地降低开关电源损耗™ K6 800V功率MOS
2021-10-25
新的超级结STPOWER MDmesh K6系列增强了几个关键参数，以最大限度地降低系统功耗。它特别适用于基于反激拓扑的照明应用，如LED驱动器、HID灯、适配器和平板显示器电源。
凭借800V STPOWER MDmesh K6系列，ST为这种超级连接技术树立了一个基准，将同类最佳性能与易用性结合在一起。MDmesh K6具有目前市场上最好的800V RDS（on）x区域，可实现紧凑的新设计，将高功率密度与市场领先的效率结合起来。
此外，与前一代MDmesh K5相比，K6系列的阈值电压有所降低，从而降低了驱动电压，从而减少了功率损耗，提高了零瓦待机应用的效率。总门电荷（Qg）也非常低，允许高开关速度和低损耗。
集成ESD保护二极管提高了MOSFET的整体坚固性，达到人体模型（HBM）2级。
意大利固态照明创新者TCI的CTO和研发经理Luca Colombo说：“我们已经测试和评估了新型超级结超高压MDmesh K6系列的样品，并注意到其出色的Rdson*面积和总栅电荷（Qg）性能特征，并对其留下了深刻印象。”。
STP80N240K6（RDS（on）最大值=0.22Ω, TO-220通孔封装中的Qgtyp=25.9nC）是第一个全面生产的MDmesh K6 MOSFET，ST eSTore已提供免费样品。DPAK和TO-220FP版本将于2022年1月全面投产。1000件订单的起价为1.013美元。
完整的MDmesh K6产品组合将于2022年推出，并将提供从0.22到0.22的广泛RDS（on）范围Ω 至4.5Ω 以及一系列封装选项，包括SMD和通孔外壳。
有关更多信息，请访问www.st.com/stpower-800v-mdmesh-k6
吉公网安备 22020302000206号