用于街道照明的100 W高效低THD可调光LED驱动器解决方案
2021-10-30
LED街道和区域照明应用通常需要坚固高效的电源，能够产生严格调节的输出电流和电压，具有高功率因数、低THD和最小电压纹波。
在智能照明室外应用中，广泛采用低于1 GHz的连接。
SL-LLL008V1解决方案结合了极其高效的电源，这得益于实施的双级架构和灵活的无线连接。
前端AC/DC HPF反激式变换器级基于STF23N80K5 N沟道功率MOSFET，由HVLED001B离线led驱动器控制，该驱动器可确保非常高的功率因数、较低的THD，并实现CV一次侧调节。
第二级为反向降压转换器，基于STL4N10F7功率MOSFET，由HVLED002控制器驱动，能够将外部调光命令转换为电流限制。
数字控制阶段由STM32L071KZ微控制器执行，该微控制器可通过嵌入式SPSGRFC sub-1 GHz收发器模块接收远程开、关和调光命令。可扩展连接功能，以允许无线控制6LowPAN网状网络中的多个照明节点。
此外，ST 6LowPAN智能路灯移动应用程序允许用户通过蓝牙控制（开/关）和更改连接到数据集中器单元（DCU）的网络节点的光强。
关键产品优势
增强型峰值电流模式控制器，主要控制高功率因数（HPF）反激或降压升压。创新的高压技术允许直接连接到输入电压，以启动设备并监测输入电压，而无需外部组件。断路、输出短路、输入过压或欠压等异常情况，以及主开关开环、过流等电路故障得到有效控制
用MDmesh设计超高压N沟道功率MOSFET™ K5技术基于创新的专有垂直结构，具有低导通电阻和超低栅极电荷，适用于需要高功率密度和高效率的应用。
HVLED002控制IC提供了实施离线或直流-直流固定频率电流模式控制方案的必要功能，以实施LED驱动器。内部实现的电路包括用于精确占空比控制的微调振荡器、欠压锁定、用于误差放大器输入精度的微调精密参考、也提供电流限制控制的PWM比较器和设计用于源或汇高峰值电流的图腾极输出级
这种N沟道功率MOSFET利用了带状FET™ F7技术具有增强型沟道栅极结构，可产生极低的导通电阻，同时还可降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关。
存取线超低功耗STM32L071xx微控制器包含以32 MHz频率运行的高性能Arm Cortex-M0+32位RISC内核、内存保护单元（MPU）、高速嵌入式内存（高达192 KB的闪存程序内存、6 KB的数据EEPROM和20 KB的RAM）加上一系列增强的I/O和外围设备。
SPSGRFC Sub-1GHz收发器 Sub-1 GHz (433, 868 or 915 MHz) programmable transceiver module with UFL connector
易于使用的sub-1 GHz收发器认证模块，具有许多可编程功能。该模块以微小的外形尺寸提供了一个完整的射频平台。
所有特征
高效,，
不带光耦的PSR控制回路，
可选择将控制板与可编程STM32微控制器连接，以实现调光和启用/禁用功能。
连接功能可以扩展到6LowPAN网状网络中的多个照明节点。
吉公网安备 22020302000206号