11月3日，由芯师爷主办、深福保集团冠名的“2020年度硬核中国芯领袖峰会暨评选颁奖盛典”圆满落幕。在“2020年硬核中国芯”评选中，华大半导体凭借卓越的产品性能以及优异的市场表现，一举斩获“2020年度最佳国产MCU产品奖”和“2020年度最具影响力IC设计企业”两项大奖。

2020年度最具影响力IC设计企业

 

2020年度最佳国产MCU产品奖 · HC32L136

 

关于华大半导体HC32L136

       1. 芯片基于ARM Cortex-M0+内核，采用多项超低功耗设计技术，集成12bit 1Msps 逐次逼近型SAR ADC、LCD驱动、运算放大器OPA以及多路UART、SPI、I²C等丰富的通讯外设，能够妥善处理功耗与资源之间的平衡，内建128位AES、TRNG硬件真随机数产生器和Unique-ID唯一序列号等安全模块，并支持1.8V~5.5V宽电压工作范围，具备高整合度、超低功耗、高可靠性特性。

 

       2. 芯片集成SAR ADC、LCD驱动、运算放大器OPA以及多路UART、SPI、I²C等丰富的通讯外设，具备高整合度、超低功耗、高可靠性等特性。芯片性价比高，可以有效节省系统BOM成本，在物联网等对低功耗特性有强烈要求的应用里，价格优势明显。

 

       3. 产品创新点

       创新点一：基于超低温漂技术的超低功耗电路设计理论和技术。依靠新型的超低功耗电源管理（PMU）技术、超低功耗带隙基准源（LPBGR）技术和超低功耗低电压检测（LVD）技术，实现全芯片超低待机电流控制标志效果达到小于0.45μA。

 

       创新点二：异步设计和DLL降噪技术的高能效时钟域设计理论和技术。依靠异步设计电路，优化时钟架构，优化高频时钟产生电路，指令预存取技术，实现超高能量效率控制标志效果达到23.19CoreMark/mA以上。

 

       创新点三：自适应电压平衡技术的高速启动设计理论和技术。依靠超大范围负载低压差线性稳压器（LDO）、高精度高启动速度RC振荡器（IRCOSC）、高精度低速IRCOSC等控制技术，实现超快唤醒时间控制标志效果达到小于3μS。

 

       创新点四：改进型密闭环技术的高可靠性电路设计理论和技术。芯片实现高可靠性创新：ESD人体放电模型达到±8KV，处于国际标准JEDEC JS-001分级中的最高等级Class 3B；EFT快速电脉冲群达到±4KV，处于国际标准IEC61000-4-4分级中最高等级Class 4。

 

       华大半导体自主研发低功耗系列产品，形成并申请知识产权82项，其中专利75项（已授权13项）、集成电路布图登记7项（全部授权）。

 

       4. 应用方案

       （1）额温枪应用方案

       （2）血氧仪应用方案

       （3）智能水表应用方案

       （4）ETC应用方案

       （5）温控器应用方案

       （6）NB-IoT无线模块应用方案

 

       5. 在国内工业数据采集、水气表、ETC、额温枪、血氧仪等市场取得较高份额，市占率已超过40%。尤其在2019年ETC不停车收费系统建设和2020年抗击新冠肺炎疫情过程中，超过6500万颗本项目产品被应用到ETC/OBU车载单元、额温枪与血氧仪的生产中。在相关进口芯片供应短缺而生产需求又极为迫切的关键时刻，成功实现了进口替代，解决了智慧交通建设与防疫抗疫的重大技术保障问题。