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2KW双通道数字ICC 交错CCM PFC 2021-10-31

2kW交错式PFC解决方案具有模拟逐周期电流调节的性能和数字控制的灵活性，可在高效且经济的封装中生成具有极高功率因数和极低谐波失真的电源，该封装可根据特定性能标准轻松配置。

数字功率控制基于STNRGPF12数字PFC控制器，该控制器与TN3050H-12WY晶闸管和STBR3012整流二极管相结合，实现数字浪涌电流限制，并可在固定频率下使用CCM中的混合信号（模拟和数字）平均电流模式控制，驱动多达两个交错PFC通道。该控制器是600瓦以上交错CCM升压PFC应用的理想选择。

用于升压开关的STGW20H65FB IGBT是一种经济高效的器件，由于其低VCE（sat）和减小的尾电流分布，特别设计用于最小化功率转换器中的损耗。

为了最大限度地降低CCM中高频PFC操作的功率损耗，该解决方案包括STPSC12065 650 V功率肖特基碳化硅二极管快速恢复，可忽略反向恢复电荷（Qrr）和最小电容关闭行为，与温度无关。

关键产品优势

STNRGPF12-大功率浪涌电流控制器 具有嵌入式数字浪涌电流限制器功能的2通道交错式PFC驱动器

STNRGPF12数字控制器设计用于交错PFC升压拓扑，并用于大功率应用。其特点是采用基于可控硅整流器的固态解决方案实现数字励磁涌流控制。控制器最多可驱动2个交错通道。在基于混合信号（模拟/数字）架构的应用中，该设备以固定频率在CCM中工作，并采用平均电流模式控制。

STBR3012-高压整流器 桥式应用的高压整流器

由于其超低的传导损耗，STBR3012高压整流器特别适合用作电池充电器的输入桥式二极管

STGW20H65FB-高效IGBT 沟道栅极场阻650V，20A高速HB系列IGBT

这些IGBT是新HB系列IGBT的一部分，它代表了传导损耗和开关损耗之间的最佳折衷，以最大限度地提高任何变频器的效率。此外，稍微为正的VCE（sat）温度系数和非常紧密的参数分布导致更安全的并联操作。

STPSC12065-高性能碳化硅二极管 650 V功率肖特基碳化硅二极管

特别适合PFC应用，这种ST-SiC二极管将提高硬开关条件下的性能。其高前向喘振能力确保了瞬态阶段的良好鲁棒性。

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