带励磁涌流限制器的3.6 kW PFC图腾柱 2021-10-31
开关电源的电气标准要求越来越高的功率转换效率,这在高功率应用中通常意味着昂贵的有源功率因数校正阶段,以改善交流电源线上的谐波和功率因数。
 
 
SL-DPSTPFC1是一款全数字控制的无桥图腾柱PFC,经全面测试和测量证明,可在宽输入电压和负载条件下提供低THD,并为高效数字电源应用提供接近单位功率因数。

STM32F334微控制器在较宽的工作范围内实现精细的控制回路调节,通过智能浪涌电流控制确保高系统可靠性。其丰富的模拟外围设备集,加上图腾柱架构,有助于减少总体材料清单以及由此产生的解决方案成本和尺寸。

功率部分在高频段采用高性能650V碳化硅功率MOSFET,由STGAP2S电流隔离栅极驱动器驱动。低频段改为使用30A 1200V SCR晶闸管,以在通电或线路下降恢复时提供交流线路极性切换和有效电流限制。

基于VIPer26LD高压转换器的反激电路通过向电源和控制部分提供调节电压完成设计。

包含完整的固件应用程序以供参考,可根据特定应用程序要求进行修改。
 
关键产品优势

STM32F469AI高性能微处理器

STM32F4系列Cortex-M微控制器采用FPU、高性能NVM和加速器技术,其数字信号处理能力和高时钟速度可用于管理来自振动和环境传感器的极高数据速率。

SCTW35N65G2V功率MOSFET

这种第二代碳化硅功率MOSFET(650V,45A,55MΩ)具有极低的反向恢复损耗,这对于高功率图腾极解决方案中的低纹波电流CCM操作至关重要,并且具有优异的导通电阻和开关特性,基本上不受结温影响。

STM32F334高性能32位MCU

此带有32位Arm®Cortex®-M4的MCU线路特别适合在数字功率转换应用(如D-SMPS)中运行用于逐周期电流控制和严格电压调节的高响应控制算法。MCU具有高分辨率定时器、用于精确控制的高速ADC,以及用于保护和信号调节的各种模拟接口。

STGAP2S大功率门驱动器

该4A单栅极驱动器将大功率应用中的栅极驱动通道与低压控制和接口电路隔离。它在80纳秒内的低传播延迟确保了高PFC控制精度,具有UVLO和热关机保护以及备用模式,以确保极低的闲置功耗。

TN3050H-12WY晶闸管

这种高度坚固的汽车级SCR晶闸管提供了浪涌电流限制,具有很高的浪涌鲁棒性和电气瞬变抗扰性,没有与使用NTC和机械继电器的替代方案相关的体积和可靠性问题。

测试1

测试2

VIPER26LD 800V MOFET

这种具有800 V击穿电压的大功率MOSFET确保了具有扩展输入电压范围的高效辅助电源,并实现了更小的漏极缓冲电路。
 
所有特征

非常高的功率因数和低THD解决方案确保高效率电源

坚固的设计,满足高达4kV的EMC标准,具有高开关寿命和减少的EMI发射

SiC MOSFET的使用提高了效率,同时允许更紧凑的高输出功率设计

STM32 MCU的应用和操作灵活性确保精确和高响应数字控制

通过主动软启动涌流限制和控制级和功率级之间的电流隔离,提高了可靠性
 

勘误纠正/技术交流/采购需求/批量供应(Correction/Technical/Perchase/Wholesale)(共0条评论)
  • 暂无评论
E-mail:
AA:
Contents:
  Code: captcha