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3kW D-SMPS全桥LLC直流变换器 2021-10-31

SL-DPSLLKCK1是一款具有输出同步整流功能的数字控制全桥LLC谐振DC-DC转换器。

数字控制级基于STM32F334微控制器，该微控制器具有用于精细调节控制回路的高分辨率定时器、USART、CAN和SMBus输出，以传输用于监控的状态信息，以及适用于与PFC前端整流器集成的光耦合串行通信。

在功率级，LLC变流器的全桥初级部分基于STW70N60DM2 MDmesh™ DM2功率MOSFET的高效率性能，由高度集成和大电流L6491半桥门驱动器驱动

采用STP310N10F7条带场效应晶体管的全桥拓扑中的同步整流（SR）™ LLC变换器的二次侧采用F7功率MOSFET，以减少传导损耗。

一次和二次部分均由基于VIPer27HD的反激电路供电，该电路为控制板、栅极驱动器IC和信号调节电路提供调节电压。

该解决方案包括一个完整的FW应用程序示例

关键产品优势

STM32F469AI-高性能MCU 高性能先进流水线，Arm Cortex-M4内核，带DSP和FPU，2 MB闪存，180 MHz CPU，ART加速器，Chrom-ART加速器，带SDRAM的FMC，双QSPI，TFT，MIPI-DSI

STM32F3x4产品线专门针对数字电源转换应用，包括D-SMPS。它具有一个Arm®Cortex®-M4 32位内核，工作频率高达72 MHz，一个浮点单元（FPU），一个高分辨率定时器，分辨率为217ps，对电源和温度漂移进行自补偿，高速ADC用于精确控制，以及用于保护和信号调节的各种模拟接口。

STW70N60DM2-高压功率MOSFET TO-247封装中的N沟道600 V、37 mOhm典型值、66 A MDmesh DM2功率MOSFET

这种高压N沟道功率MOSFET是MDmesh的一部分™ DM2快速恢复二极管系列。它在关断能量（Eoff）方面表现优异，特别是在大电流下，以及低栅极电荷、低输入电容，其固有二极管显示非常短的恢复时间，使其适用于要求最苛刻的高效率转换器，并且是谐振拓扑（如LLC谐振转换器）的理想选择。

STP310N10F7-低压功率MOSFET TO-220封装中的N沟道100 V、2.3 mOhm典型值、180 A条形场效应管F7功率MOSFET

o该低压N沟道功率MOSFET实现了第7代ST专用条带FET™ 技术，具有新的门结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中表现出最低的RDS（on），加上最小的电容和栅极电荷。STP310N10F7允许使用较小封装尺寸的较少设备来实现系统功率和效率目标。

VIPER27HD-高压变频器

该设备是一个高压转换器，集成了800 V坚固的功率MOSFET、最先进的PWM控制、一整套功能和内置保护，非常适合实施辅助开关电源，能够满足最苛刻的节能法规，具有高可靠性、灵活性和减少组件数量。H型在115kHZ固定开关频率下提供PWM控制，并带有抖动，以允许减小变压器尺寸

L6491-半桥闸门驱动器 高压高低压侧4 A门驱动器

L6491是采用BCD6“离线”技术制造的高压设备。它是一种用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单片半桥门驱动器。高压侧（浮动）部分设计用于承受高达600 V的电压轨。逻辑输入与CMOS/TTL兼容，电压低至3.3 V，便于微控制器/DSP接口。集成比较器可用于过电流、超温等快速保护。

所有特征

输入直流电压：375 V至425 V

输出电压：48伏

最大输出电流：62.5 A