3kW单相交错功率因数校正电路_工业电源_方案Solution

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3kW单相交错功率因数校正电路 2021-10-31

这是一个基于STNRGPF01数字控制器IC的3千瓦交错式PFC解决方案，能够在交错式CCM升压功率因数校正器（PFC）中驱动多达三个通道

PFC数字控制器以固定频率在CCM中实现混合信号（模拟/数字）平均电流模式控制。模拟部分通过逐周期电流调节确保最大响应，而非时间关键操作的数字控制提供了为不同应用配置设备的灵活性。

STNRGPF01嵌入了多个功能，如可编程软启动、突发模式轻负载管理、自动通道电流平衡、负载电流和输入电压前馈、灵活的断相管理和冷却系统管理。STNRGPF01可以使用eDesignSuite可视化软件工具进行配置，以匹配广泛的应用环境。

在功率级，采用低栅极电荷的STW40N60M2 N沟道功率MOSFET作为升压开关，以管理高开关频率要求。MOSFET基于MDmesh™ M2技术，具有低导通电阻以降低传导损耗，以及优良的输出电容（Coss）剖面以降低开关能量和提高轻负载效率。为了最大限度地降低功率损耗，升压二极管的选择对于CCM中高频PFC的运行也至关重要。STPSC12065 650 V功率肖特基碳化硅二极管提供快速恢复，反向恢复电荷（Qrr）可忽略不计，最小电容关闭行为与温度无关。

关键产品优势

STNRGPF01数字控制器 三通道交错CCM PFC数字控制器

STNRGPF01数字控制器是为高功率应用设计的交错式PFC升压拓扑的专用IC。数字控制器IC有助于在高功率密度设计中遵守IEC 61000-3-2，提供高功率因数和极低的THD，具有出色的输出电压调节和平坦的效率曲线。在基于混合信号（模拟/数字）架构的应用中，该设备以固定频率在CCM中工作，并采用平均电流模式控制。

STW40N60M2 N沟道功率MOSFET TO-247封装中的N沟道600 V，0.078欧姆典型值，34 A MDmesh M2功率MOSFET

这些N沟道功率MOSFET采用MDmesh™ M2技术通过其低导通电阻和优化的开关特性实现了高转换效率。

STPSC12065碳化硅二极管 650 V功率肖特基碳化硅二极管

该ST-SiC二极管可提高硬开关条件下的性能，是PFC应用的理想选择。其高前向喘振能力确保了瞬态阶段的良好鲁棒性。

所有特征

输入电压范围：90至265伏交流电压

线路频率范围：47至63 Hz

最大输出功率：230 Vac时为3 kW

输出电压：400V

最高效率：>97.5%

功率因数：20%负载时>0.98

总谐波失真：20%负载时<5%